存储芯片板块上半年业绩表
现亮眼 上市公司加码布局高端产品

今(jīn)年上半年(nián)，A股存储芯片赛道上市(shì)公司业绩(jì)整体实现高增长(zhǎng)。根据Wind数据，板块内25家上市公司上半年实现归属于上
市公司股东的净利润合计同(tóng)比增(zēng)长146.26%。

中(zhōng)国电子商务专家服务中(zhōng)心副主任、资深人工智能专家郭涛在接受《证券日报》记者采访(fǎng)时表示(shì)：“存储芯片企业业绩快速增长
的主要原(yuán)因，一是全球半导体市场需求的(de)增长，特别是
AI、5G等新兴技术的发(fā)展，拉动存储产品需求；二是受益于全球半导体(tǐ)产业链的调整，我国本土存储(chǔ)芯片企(qǐ)业得到了更多市场份额和订单；三是国内支持(chí)政(zhèng)策推动，加之存储芯片企业自身不断努力提升技术水平和产品质量(liàng)，市场竞争力增强。”

主流产品价格上涨

具体来 看(kàn)，半(bàn)年报显示，全球(qiú)内存接口芯片龙头澜起科技今年上半年实现营业收入16.65亿元，同(tóng)比增长79.49%；归属于(yú)上市(shì)公司股东的净利(lì)润5.93亿元，同比增长624.63%。

存储模(mó)组龙头江波龙上半年实现(xiàn)营业收(shōu)入90.39亿元，同比增长143.82%；归属于上(shàng)市公司股东的(de)净利润5.94亿元，同比增长(zhǎng)199.64%。

闪存模组企业德明利上半年实现营业收入21.76亿元，同比增长(zhǎng)268.50%；归属于上市公司股东的净利润3.88亿(yì)元，同比增长588.12%。

今年上半年，存储芯片两大类产品DRAM和NANDFlash的(de)价(jià)格均延(yán)续了(le)去(qù)年的上(shàng)涨趋势。“存储芯片(piàn)中，高性能的DRAM产品HBM和NANDFlash的价(jià)格在上半年都环比上涨了20%至25%。预计下半年DRAM价格将继续上涨，但(dàn)涨幅可能会有所减缓。”TrendForce集邦咨询分析师吴(wú)雅婷(tíng)在接受《证券日报》记者采访时表示。

对于(yú)未来价格走势，佰维存储方面近期在业绩说明会上表示：“2024年二季度存储价格(gé)上涨(zhǎng)，晶圆端与产品端保持同向变动，三季度价格有望继续保持同向(xiàng)变动，整体平(píng)稳，略有波动。”兆易创新方面也表示：“二三季度是行业旺季，目前对(duì)今年三(sān)季度市场需求情况(kuàng)持相对谨慎乐观的态度，预期三季度相
比(存储芯片板块上半年业绩表现亮眼 上市公司加码布局高端产品bǐ)二季度保持增长。”

长期来(lái)看，存(cún)储(chǔ)芯片市场增(zēng)长空间巨大。以DRAM为例
，根据市场(chǎng)调(diào)研机(jī)构Yole数据，2029年全球DRAM市场规模或将达到1340亿美元左右，2023年至2029年间的复合年均(jūn)增长率约为17%。

企(qǐ)业加大研发力度

“人工智(zhì)能 产(chǎn)业发展主要带动了高端存储芯片的(de)需求，如HBM、SRAM、DDR5等。为(wèi)了顺应这一发展(zhǎn)趋势，存(cún)储企(qǐ)业需要加大(dà)对高(gāo)端产品的布局力(lì)度，加 大研发投入，通过推出更高性能的产品，来扩大全球市场占(zhàn)有率。”智(zhì)帆海岸机构首席(xí)顾问、资深产业经济观察家梁振(zhèn)鹏向《证券日报》记者(zhě)表示。

今年上半年，多家存储(chǔ)芯片上市公司(sī)加大(dà)研发力度，并且发力AI相关高端存储产品。例如，佰维存储持(chí)续加大芯片设计、解决方案研发、先进封测及存储测试设备等领域的研发投(tóu)入力度(dù)。今年上半年研发(fā)费用达2.10亿元，同比(bǐ)增长174.15%。据悉，佰维存储面(miàn)向(xiàng)AI手机已推(tuī)出UFS3.1、LPDDR5/5X、uMCP等嵌入式存储产品(pǐn)；面(miàn)向AIPC（人工智(zhì)能个人电脑）已推出DDR5、PCIe4.0等高(gāo)性能(néng)存储(chǔ)产品；面(miàn)向服(fú)务器，已(yǐ)推出企(qǐ)业级SATASSD、企业级(jí)PCIeSSD、RDIMM和CXL内存等产(chǎn)品。

澜起科(kē)技上半年研发费用达3.67亿元，同(tóng)比增长21.16%。今年上半年，澜起科技DDR5第二子(zi)代RCD芯(xīn)片出货量
已超过第一子代RCD芯片，第三子代RCD芯片将从2024年下半年开始规模出货。澜起科技方面近期(qī)在接受(shòu)机构调研时表示(shì)，公(gōng)司还布局高性能“运力”芯片(piàn)解决方(fāng)案，包括可用于AI服务器的PCIeRetimer、MRCD/MDB及MXC芯片(piàn)，以及可用于AIPC的CKD芯片产(chǎn)品。

对于 业界高度关注的HBM，有企业(yè)在应用层面展开相关研发布局。江波(bō)龙近日在业绩说明会上(shàng)表示，公司子公(gōng)司元成苏 州具备晶圆高堆叠封装的量产(chǎn)能力(lì)，此为HBM技术涉及的一部(bù)分，公司目前虽无法生产HBM，但将保持对该技术的持续关注，并在产品应用(yòng)层面(miàn)上提前开展相关的研(yán)发布(bù)局工作(zuò)。该公司(sī)上半年研发费用为4.75亿元，同比增长92.51%。

今年上(shàng)半年，A股存储(chǔ)芯片赛(sài)道(dào)上市公司业绩整体实现高增长。根据Wind数据，板块内(nèi)25家上市公司上(shàng)半(bàn)年实现归属于上市公司(sī)股东的净利润合计同比增(zēng)长146.26%。

中国电(diàn)子 商务专家服务中心副(fù)主任、资深人工(gōng)智能专家郭涛在接受《证券日报》记者
采访时表示：“存储芯片企业业绩快速(sù)增长的主要原因 ，一(yī)是全球半导(dǎo)体(tǐ)市场需求的增长，特别是AI、5G等新兴技术的 发展，拉动存
储产品需求(qiú)；二是受益于全球半导体产业链的调整(zhěng)，我国(guó)本土存储芯(xīn)片企业得到了更多市场份额和订单；三是国内支(zhī)持政策推动，加(jiā)之存(cún)储芯片企业自身不断努力提升技(jì)术水平和产品质量，市场竞争(zhēng)力增强。”

主流产品价(jià)格上涨

具体来看，半年报显示，全球内 存接口芯片 龙头澜起科技今年上半年实现营业收入(rù)16.65亿元，同比(bǐ)增长79.49%；归(guī)属于上市公(gōng)司股东的净利润5.93亿元(yuán)，同比增长624.63%。

存(cún)储模组龙头江(jiāng)波龙上半年实现营业(yè)收入90.39亿元，同比增长(zhǎng)143.82%；归属于上市公(gōng)司股东的净利润5.94亿元(yuán)，同比增长199.64%。

闪存(cún)模组企业德明利上半年实(shí)现营业收(shōu)入21.76亿元，同比增长268.50%；归属于上市公司股东的净利润3.88亿元，同比增长588.12%。

今年(nián)上半年，存储芯片两大类产品DRAM和NANDFlash的价(jià)格均延续了(le)去(qù)年的(de)上涨趋势。“存储芯片中，高性能的DRAM产品HBM和NANDFlash的价格在上(shàng)半年(nián)都环比上涨了20%至25%。预计下半年DRAM价格将继续上涨，但涨幅可能会有所减缓。”TrendForce集邦咨询 分(fēn)析师吴雅婷在(zài)接受《证券日报》记(jì)者采访时表(biǎo)示。

对于(yú)未来价格走势，佰维(wéi)存(cún)储方面近期在业绩说(shuō)明会(huì)上表示：“2024年二季(jì)度存储价格上涨，晶圆端与产品端(duān)保持同向变动，三季度价格有望继续保(bǎo)持(chí)同向变动，整体平稳，略有(yǒu)波(bō)动。”兆(zhào)易创新方(fāng)面也表(biǎo)示：“二三季度是行业旺季，目前对今年三季度市场需求情况持相对谨慎乐观的态度，预期三季度相比 二季度(dù)保持增长(zhǎng)。”

长期来看，存储芯片(piàn)市场增长空(kōng)间巨大。以DRAM为例，根据(jù)市场(chǎng)调研机构(gòu)Yole数据，2029年全球DRAM市场规模或将达到1340亿美元左右，2023年至2029年(nián)间的复合 年均增长(zhǎng)率约为17%。

企业加大研发力度

“人工智能产业发展主要带动(dòng)了(le)高端(duān)存储芯片的(de)需求，如HBM、SRAM、DDR5等。为了顺应这一发(fā)展(zhǎn)趋(qū)势，存储(chǔ)企业需要加大对高端(duān)产品的布局力度，加大研发投入，通过推(tuī)出更高性能的产品，来扩大全球市(shì)场占有率。”智帆(fān)海岸机(jī)构首席顾问、资深(shēn)产(chǎn)业经济观察家梁振鹏向《证(zhèng)券日报(bào)》记者(zhě)表示。

今年上半年(nián)，多家存储芯片上市公(gōng)司加大研发力度(dù)，并且发力AI相关高端存储产品。例如，佰维存(cún)储持续加大芯片设计、解决(jué)方案(àn)研(yán)发、先(xiān)进封(fēng)测及存储测试设备等领(lǐng)域的研发投入力度。今年上半年研发费用达2.10亿元，同比增长174.15%。据悉，佰(bǎi)维存储面向AI手机(jī)已推出UFS3.1、LPDDR5/5X、uMCP等(děng)嵌入(rù)式存储产品；面向AIPC（人工智能个人电脑）已推出DDR5、PCIe4.0等高性能存(cún)储产品；面向服务器，已推出企业(yè)级SATASSD、企业级PCIeSSD、RDIMM和CXL内存等产品。

澜起科技上半年研(yán)发费用(yòng)达3.67亿(yì)元，同(tóng)比(bǐ)增长21.16%。今年上半年，澜起(qǐ)科技DDR5第二(èr)子代(dài)RCD芯片出货(huò)量已超过(guò)第一子代RCD芯片，第三(sān)子代RCD芯片将(jiāng)从2024存储芯片板块上半年业绩表现亮眼 上市公司加码布局高端产品年下半年开始规(guī)模出货。澜起科技方面近期在接(jiē)受机构调研时(shí)表示，公司还布局高性能“运(yùn)力”芯片解(jiě)决方案(àn)，包括可用于AI服务器的PCIeRetimer、MRCD/MDB及
MXC芯片，以及可用于AIPC的(de)CKD芯片产品。

对于业界高度关 注的HBM，有企业在应用层面展开相关研发布局。江波龙近日(rì)在业绩说明会上表(biǎo)示，公司子(zi)公司元成苏州具备(bèi)晶圆高堆叠封装的量产能力
，此为HBM技术涉及的(de)一部分，公司目前(qián)虽无法生 产(chǎn)HBM，但将保持 对(duì)该技术的持续关注，并在产品(pǐn)应用(yòng)层面上提(tí)前开展相关(guān)的研(yán)发(fā)布局工作(zuò)。该公司上半年研发费用为4.75亿元，同比增长92.51%。

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