锴威特上半年新获授权发明专利19项 客户应用领域开拓显成效

锴威特 (688693)8月30日(rì)晚间发布半年报及2024年度“提质增效重(zhòng)回报(bào)”行动方案。公司坚(jiān)持“自主创芯，助力核(hé)心(xīn)芯片国产化”的发展战略，深度挖掘(jué)客户需求，深耕(gēng)下游(yóu)消 费电子、工业控制(zhì)及高可靠市场并持续拓宽细分应用领域。上半年，公司技(jì)术研发成果突出，新获授权(quán)专利21项，其中发(fā)明专利19项。

作为(wèi)典(diǎn)型的研发与技术创新(xīn)驱动企(qǐ)业，锴威(wēi)特持续加大对产品及核心技术的研发投入，根(gēn)据市场发(fā)展(zhǎn)趋势、下游客户需求，不断拓宽产品(pǐn)系列，强化自主研发产(chǎn)品竞(jìng)争力，报告期内公司稳步推进产品研发及迭代(dài)升级(jí)。部(bù)分新产品正在客户验(yàn)证阶段，部分(fēn)已进入中试阶段。

公司目(mù)前已(yǐ)同时具备功率(lǜ)器件和
功率IC的设计(jì)、研发(fā)能力，自主(zhǔ)搭建了多个功率半导(dǎo)体细分产品的技术平台；公司(sī)与晶圆
代(dài)工厂深度合作，可根据晶(jīng)圆代工(gōng)厂的标(biāo)准工艺调整工(gōng)艺(yì)参数(shù)和流(liú)程，进一步优化产品性能。

上半年(nián)，锴(kǎi)威特新获授权专(zhuān)利21项(xiàng)（其中发(fā)明(míng)专利19项、实用新型专(zhuān)利2项），集成电路布图设计专有权11项；截至(zhì)2024年6月30日，公司已(yǐ)获授权专利(lì)109项(其中发明专(zhuān)利66项(xiàng)、实用新型专利43项)，集(jí)成电路布图设计专有权(quán)87项。

锴威特表示，未来，公 司将进一步实现对各种细分品类功(gōng)率(lǜ)器(qì)件芯片(piàn)的覆盖，并进一步促进(jìn)功(gōng)率IC和第 三(sān)代半导体(tǐ)功率 器件的(de)产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率(lǜ)半导体产品(pǐn)供(gōng)应商，助(zhù)力功(gōng)率半导体国产化(huà)替代，推锴威特上半年新获授权发明专利19项 客户应用领域开拓显成效动我国在(zài)高可靠领域基锴威特上半年新获授权发明专利19项 客户应用领域开拓显成效础元器件自主可控进(jìn)程(chéng)的发展。

据介绍，近年(nián)来基(jī)于公司前期较早地布
局了高可靠应用领域，不断加大功率IC和(hé)功率器件 产(chǎn)品在高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力(lì)度。在高(gāo)可靠领域，公司客户群(qún)已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院(yuàn)所，并获得众多(duō)高(gāo)可靠领域客户的高度认(rèn)可；在工业控制领域，公司(sī)深挖(wā)工业储能(néng)、光伏逆变、新能源汽车及(jí)充电(diàn)桩(zhuāng)、工业电源等细(xì)分应用领域的产品需求(qiú)，超高(gāo)压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等细分产品的产品研(yán)发及市场开拓取得良好成效。（齐和宁(níng)）

校对：王蔚(wèi)

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