替代部分美系设备成功！长江存储成 功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技9月20日消息，据媒体报道，长(zhǎng)江存储在(zài)面临美国出口限(xiàn)制和被列入(rù)实
体清(qīng)单的双(shuāng)重压(yā)力下，已成功采(cǎi)用国产半导体设备替(tì)代部分美系设(shè)备。

长江存(cún)储自研(yán)Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到(dào)232层，即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争(zhēng)优势。

据悉，长江存储已经(jīng)使用中微半导体(tǐ)设备公司的蚀刻设备(bèi)、北方华创的沉积与蚀刻设(shè)备，以(yǐ)及拓荆科技的沉积设(shè)备，成功制造出3D NAND闪存
芯片(piàn)。

TechInsights称，虽然长江(jiāng)存储仍(réng)继续依赖ASML和泛林集团等外(wài)国供应商提供关
键工具，但中国国产半导体设备 供应商越来越多地 承担了生产流程的大部(bù)分(fēn)。

不过(guò)长(zhǎng)江存储使用国产设备生(shēng)产的最新(xīn)NAND芯(xīn)片在堆叠层数
上做了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。

对此长江存储(chǔ)在回应中表示，公司正在不断优化替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片(huà)产品性能，层数变化与设备产量无关(guān)，随着制造工艺、流程(chéng)及经验的不断成(chéng)熟，会不断增加堆叠层数。

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责任编辑：黑白

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