替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技9月20日消(xiāo)息，据媒体(tǐ)报道，长江存储在面临(lín)美国出口限制和(hé)被列入实体清单的双(shuāng)重(zhòng)压力(lì)下，已成功采用国产半导体设备替(tì)代部分美(měi)系设备。

长江存(cún)储自研Xtacking架构可让3D NAND的层(céng)数堆叠到 232层，即使(shǐ)与美光、三星和SK海力(lì)士等知名制造商相比，也具有极强的竞争(zhēng)优势。

据(jù)悉，长江存储已经使(shǐ)用中微(wēi)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)设备公司(sī)的蚀刻设备(bèi)、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯(xīn)片。

TechInsights称(chēng)，虽然长江存储仍(réng)继续依赖ASML和(hé)泛林集(jí)团等外国供应商(shāng)提供关键工具，但中国(guó)国产半(bàn)导替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片体设备供应商越来越替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片多地承担了生产流(liú)程的大(dà)部分。

不过(guò)长江存(cún)储使用(yòng)国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做(zuò)了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。

对此长江存储在回应中表示，公司正在不断优(yōu)化产(chǎn)品性能(néng)，层数变化与设备产量无关，随着制造工艺、流程(chéng)及经验的(de)不断成熟，会不断增加堆(duī)叠层数。

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