替代部分美系设备成功！长江存储 成功
用国产设备制造3D NAND芯片

快科技9月20日消息，据(jù)媒体报道(dào)，长江存储在面临
美国(guó)出口限制和被列入实体(tǐ)清(qīng)单(dān)的双重压力下，已成功(gōng)采用国产半导体设(shè)备替代部分美(měi)系设(shè)备。

长江存储自研(yán)Xtacking架
构可让3D NAND的层(céng)数堆叠到232层，即使与美光、三星和SK海力士替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片等
知名制造商相比，也具有极强的竞争优势(shì)。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与(yǔ)蚀(shí)刻设备，以及
拓(tuò)荆(jīng)科技的(de)沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

TechInsights称，虽然长江存储仍(réng)继续依赖ASML和泛林集团等外国供(gōng)应(yīng)商提供关键(jiàn)工具，但中国国产半导体设备供应商(shāng)越来越多(duō)地承担(dān)了(le)生产流程的大部分。

不替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片过(guò)长(zhǎng)江存储(chǔ)使用国产(chǎn)设备生产的最新(xīn)NAND芯片(piàn)在堆叠层数上做了相应的妥协，比早(zǎo)期产(chǎn)品少(shǎo)了约70层，且产量较低。

对此长江存储 在回应中表示(shì)，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，随着制造工艺、流
程(chéng)及经验的(de)不断成熟，会不断(duàn)增加(jiā)堆叠层数。

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