替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技(jì)9月20日(rì)消息，据媒体报道，长江存储(chǔ)在面(miàn)临美国(guó)出口限制和被列入实体清单的(de)双重压力下，已(yǐ)成功采(cǎi)用国(guó)产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研Xtacking架(jià)构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三(sān)星和SK海力(lì)士等知名制(zhì)造商相比，也具有极强的竞(jìng)争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片eight: 24px;'>替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片华(huá)创的沉积与蚀刻设备，以(yǐ)及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

TechInsights称，虽(suī)然长江存储仍继续依(yī)赖ASML和泛林集团等外国供应(yīng)商提供关键工具(jù)，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承(chéng)担了生(shēng)产流程的大部分。

不过(guò)长江存储使用(yòng)国产设备(bèi)生产的最(zuì)新NAND芯片在堆叠层(céng)数上做了相应的妥协，比早期产品少(shǎo)了约70层，且产量较低。

对此长江存(cún)储在回应(yīng)中表示(shì)，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产(chǎn)量无关，随(suí)着(zhe)制造工艺、流程及(jí)经验的不断成熟，会不断(duàn)增加堆叠层数。

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